공정 교육, IT-NT 나노학부 교육에 다녀오면서 반도체에 대한 전반적인 지식을 체득할 수 있었습니다. 특히 반도체 공정교육에서는 이온주입, 금속증착, 포토, 산화, 식각, CVD 등을 배우면서 공정의 전반적인 과정을 직접 실험과정을 통하여 직접 확인할 수 있었습니다. 또한 나노교육학부에서는 박막 증
증착법을 사용했으며, thermal evaporation은 이름 그대로 증착 할 금속 source를 전류를 흘려줄 판 위에 고정을 시켜놓고, 판에 전류를 흘려주면 저항에 의해서 열이 발생하게 되고, 이 열로 인해 금속이 증발을 하여 그 gas atom들이 위에 거꾸로 매달아놓은 시편 위로 증착을 하게 된다. 이 모든 과정은 PECVD와
증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하며 3, 4 인치 웨이퍼를 비롯하여 여러 가지 시편 위에 박막증착이 가능하다. 고진공에
위에 코팅할 용액을 떨어뜨리는 공정
② Spin-up
원심력을 이용하여 용액을 기판에 고르게 분포시키는 공정
③ Spin-off
박막이 얇아질수록 흐름용매의 제거 속도는 감소
④ Evaporation
용매를 제거하여 원하는 성분을 기판에 형성,
균일한 표면을 형성, 박막의 두께를 더욱 얇게 하는 과정
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
증착시키고자하는 재료(ingot feeder)에 충돌한다. 열전자의 높은 에너지 때문에 ingot은 증발하게 되고 이것이 다시 기판위에 증착된다. 이 과정은 모두 진공펌프에 의해 UHV(Ultra High Vacuum)에서 이루어진다. ingot의 양에 증착되는 film의 양을 control 할 수 있으며 열전자를 사용하기 때문에 융점이 높은 물질도
1. 실험목적
MOS 소자를 만드는 과정을 이해한다. Metal 종류, oxide 종류, 증착방법에 따른 MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.
2. 이론 배경 지식
2.1. MOS의 이해
2.1.1. MOS Capacitor의 구조
그림 1. MOS capacitor의 구조
MOS capacitor는 metal, oxide, semiconductor
따른 MOS Capacitor의 전기적 특성 분석
(중략)
04 결론
1. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이
-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도
-실험상의 오류
2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이
-hysteresis 현상
3. SiO2에서의 Leakage current 현상
-두 물질의 구조적 차이
-증착시 오류
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하
박막형성이 가능하고, 고융점 금속을 포함한 모든 재료에 적용할 수 있다. 또한 증착속도가 빠르며 multiple deposition이 가능하다. 그러나, 단점으로는 E-beam이 금속과 부딪히면서 X-ray가 발생되어 기판을 손상시킬 수 있다.
이번 실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에